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本文標題:半導體覆層中石墨顆粒密度太低

信息分類:行業動態　新聞來源：未知發布時間：2018-2-27 23:17:37

半導體覆層中石墨顆粒密度太低

形成一個局部熱區：升高的溫度借助氧化過程進一步增加電阻

值，使得部分交疊部位變得不再具導電性，此時在半導體覆層末端

的高電場強度作用下將發生PD，在空氣冷卻電機中還會產生臭氧。

臭氧(或者不如說是硝酸)將侵襲毗連的覆層，最后交疊部位電阻變

成無窮大，也就開始強烈放電。交疊部位最初存在高阻現象的原因

如下：

1)半導體覆層中石墨顆粒密度太低。

2)碳化硅覆層中的碳化硅顆粒密度或者顆粒大小分布不當。

3)交疊部位的表面積不夠，不足以讓電容電流流過。

主絕緣承受的電場強度較高時，應在設計上給予特殊重視，那

些“薄壁”主絕緣的設計將使更多的電容電流流過碳化硅覆層，因

此也更易于產生快速的老化。